m芯片，再到1999年，研发出手机芯片，就越来意识到芯片制程是非常重要…，

　　希望目前芯片制程能力，做到65纳米，45nm，甚至是28nm以下…。

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　　众所周知，要想提高芯片制程的能力，光刻技术就特别重要了，就需要每年把光刻机的曝光关键尺寸(cd)降低30%-50%。根据公式：a)，降低波长λ，提高镜头的数值孔径na，降低综合因素k1。

　　以目前的光刻机技术，直接降低波长λ，是最直接的办法，为了降低光源的波长，全球光刻机厂商都投入巨资，研发下一代光刻机光源技术，

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　　根据目前全球的光刻机技术，其中，尼康投入巨资研发出波长更低的157nmf2准分子激光做为光源，但是，被现有193nm机器用的镜片吸收，造成分辨率等问题，并且，光刻胶也要重新研制，所以改造难度极大，而对193nm的波长进步只有不到25%，研发投入产出之间的比例，是非常之低…

　　可以说，变动时非常大的。基本从目前193nm光刻技术上推倒重来。

　　还有就是，由米国组织的euv联盟，而这个联盟是由英特尔，amd，摩托罗拉，asml，英飞凌等企业组成，正在验证了euv光刻机的可行性…。

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　　相对以上的两种光刻机技术方案，都不是最优的，特别是euv联盟，所主导的euv光刻机方案，以目前的技术是非常难以实现，并且，是需要巨额的资金，没有一家公司能承受…。

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　　那么，以目前的光刻技术193nmarf光源的干法光刻机，作出简单的更改，就能把光源波长降低，

　　降低光源的波长，可以在镜头与晶圆曝光区域之间的介质从空气换成水，由于水的折射率大约为，那么波长可缩短为=132nm，大大超过攻而不克的157nm，完全可以实现45nm，甚至是28nm以下制程。

　　其工作原理就是：利用光通过水介质后光源波长缩短来提高分辨率，而浸没式光刻机采用折射和反射相结合的光路设计。这种设计可以减少投影系统光学元件的数目，控制像差和热效应，实现光刻技术…

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　　根据以上的数据，浸入式光刻机，可以说属于轻微地改进，能产生巨大的经济效应，其光刻机的产品成熟度是非常高的，

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　　不过，顺便说一下，由米国组织euvllc联盟，是在2003年，这个euvllc联盟解散，也就是说，这个联盟只是存在了6年。

　　当时尼康光刻机是没有进入euv联盟，米国认为这是米国的高科技，怎么能分兴给外国企业…。

　　具体原因还是当时米国半导体，甚至是光刻机svg公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流

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